14. अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी: पदार्थ, युक्तियाँ तथा सरल परिपथ (Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits)

*नोट: यह सेक्शन रिवीजन के लिए है। अपना ज्ञान परखने के लिए ऊपर दिए गए क्विज़ में भाग लें।

1. अर्धचालकों (Semiconductors) की चालकता ताप बढ़ाने पर:
   A) घटती है  |  B) बढ़ती है  |  C) नियत रहती है  |  D) शून्य होती है
2. p-प्रकार के अर्धचालक में मुख्य धारा वाहक (Majority carriers) होते हैं:
   A) इलेक्ट्रॉन  |  B) कोटर  |  C) दोनों  |  D) कोई नहीं
3. n-प्रकार के अर्धचालक बनाने के लिए सिलिकॉन में क्या मिलाया जाता है?
   A) त्रि-संयोजी (जैसे Al)  |  B) पंच-संयोजी (जैसे P)  |  C) धातु  |  D) कुछ नहीं
4. p-n संधि डायोड का उपयोग मुख्य रूप से किसमें होता है?
   A) प्रवर्धक (Amplifier)  |  B) दिष्टकारी (Rectifier)  |  C) दोलक  |  D) ट्रांसफॉर्मर
5. एक आदर्श डायोड का अग्रदिशिक (Forward bias) प्रतिरोध होता है:
   A) अनंत  |  B) शून्य  |  C) बहुत उच्च  |  D) 100 ओम
6. नैज (Intrinsic) अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन (ne) और होल (nh) की संख्या:
   A) ne > nh  |  B) ne < nh  |  C) ne = nh  |  D) ne = 0
7. ऊर्जा बैंड अंतराल (Energy gap) सबसे अधिक किसमें होता है?
   A) चालक  |  B) अचालक  |  C) अर्धचालक  |  D) सुपरकंडक्टर
8. p-n संधि पर 'अवक्षय परत' (Depletion layer) में होते हैं:
   A) गतिशील इलेक्ट्रॉन  |  B) नियत आयन  |  C) मुक्त होल  |  D) कोई नहीं
9. LED (Light Emitting Diode) किस बायस में कार्य करता है?
   A) अग्रदिशिक (Forward bias)  |  B) पश्चदिशिक (Reverse bias)  |  C) दोनों  |  D) शून्य बायस
10. जेनर डायोड (Zener diode) का मुख्य उपयोग है:
    A) दिष्टकरण  |  B) वोल्टेज नियमन  |  C) प्रकाश उत्सर्जन  |  D) कोई नहीं
11. अर्धचालकों में संयोजकता बैंड (Valence band) और चालन बैंड के बीच क्षेत्र है:
    A) वर्जित ऊर्जा अंतराल  |  B) चालन क्षेत्र  |  C) मुक्त क्षेत्र  |  D) शून्य क्षेत्र
12. p-प्रकार के अर्धचालक पर कुल आवेश कितना होता है?
    A) धनात्मक  |  B) ऋणात्मक  |  C) उदासीन  |  D) शून्य
13. पूर्ण तरंग दिष्टकारी (Full wave rectifier) में कितने डायोड प्रयुक्त होते हैं?
    A) 1  |  B) 2  |  C) 3  |  D) 4
14. सौर सेल (Solar cell) किस सिद्धांत पर कार्य करता है?
    A) प्रकाश विद्युत प्रभाव  |  B) तापायनिक उत्सर्जन  |  C) प्रकाश वोल्टीय प्रभाव  |  D) चुंबकीय प्रभाव
15. सिलिकॉन (Si) परमाणु की संयोजकता कितनी है?
    A) 2  |  B) 3  |  C) 4  |  D) 5
16. अग्रदिशिक बायस (Forward bias) में अवक्षय परत की चौड़ाई:
    A) बढ़ती है  |  B) घटती है  |  C) स्थिर रहती है  |  D) शून्य होती है
17. पश्चदिशिक बायस (Reverse bias) में डायोड में बहने वाली अल्प धारा का कारण है:
    A) बहुसंख्यक वाहक  |  B) अल्पसंख्यक वाहक  |  C) बाह्य वोल्टेज  |  D) तापमान
18. p-n संधि पर विभव प्राचीर (Potential Barrier) का मान सिलिकॉन के लिए लगभग है:
    A) 0.3 V  |  B) 0.7 V  |  C) 1.1 V  |  D) 5 V
19. पंच-संयोजी अशुद्धि (जैसे As) को क्या कहा जाता है?
    A) दाता (Donor)  |  B) ग्राही (Acceptor)  |  C) उदासीन  |  D) अक्रिय
20. परम शून्य ताप (0 K) पर अर्धचालक व्यवहार करता है:
    A) अतिचालक की तरह  |  B) पूर्ण कुचालक की तरह  |  C) सुचालक की तरह  |  D) दोलक की तरह
21. दिष्टकारी का कार्य है:
    A) AC को DC में बदलना  |  B) DC को AC में  |  C) वोल्टेज घटाना  |  D) कोई नहीं
22. नैज अर्धचालक में अशुद्धि मिलाने की प्रक्रिया कहलाती है:
    A) मिश्रण  |  B) डोपिंग  |  C) शोधन  |  D) प्रसारण
23. ऊर्जा बैंड सिद्धांत के अनुसार चालकों में bands कैसे होते हैं?
    A) अतिव्यापित  |  B) दूर-दूर  |  C) शून्य  |  D) केवल एक
24. फोटो-डायोड किस बायस में प्रयुक्त किया जाता है?
    A) अग्र  |  B) पश्च  |  C) दोनों  |  D) शून्य
25. n-प्रकार के अर्धचालक में फर्मी स्तर (Fermi level) कहाँ होता है?
    A) चालन बैंड के पास  |  B) संयोजकता बैंड के पास  |  C) मध्य में  |  D) अनंत पर
26. जर्मेनियम (Ge) के लिए वर्जित ऊर्जा अंतराल (Eg) का मान है:
    A) 1.1 eV  |  B) 0.7 eV  |  C) 6 eV  |  D) 0.1 eV
27. LED द्वारा उत्सर्जित प्रकाश का रंग निर्भर करता है:
    A) बायस वोल्टेज पर  |  B) अर्धचालक पदार्थ के अंतराल पर  |  C) तापमान पर  |  D) धारा पर
28. ग्राही अशुद्धि (Acceptor impurity) का उदाहरण है:
    A) फॉस्फोरस  |  B) एंटीमनी  |  C) एल्युमिनियम या बोरॉन  |  D) आर्सेनिक
29. p-n संधि डायोड की I-V विशेषता वक्र कैसी होती है?
    A) रैखिक  |  B) अ-रैखिक  |  C) वृत्ताकार  |  D) शून्य
30. एक दिष्टकारी के निर्गत (Output) में 'रिपल' (Ripples) कम करने हेतु प्रयुक्त होता है:
    A) डायोड  |  B) फिल्टर परिपथ  |  C) प्रतिरोध  |  D) ट्रांसफॉर्मर
31. यदि एक अर्धचालक में ne = 8 x 10¹³ और nh = 5 x 10¹² है, तो यह है:
    A) n-प्रकार  |  B) p-प्रकार  |  C) नैज  |  D) कुचालक
32. एक p-n संधि डायोड में विभव प्राचीर 0.5V है। 0.4V अग्र बायस लगाने पर धारा होगी?
    A) अधिकतम  |  B) शून्य  |  C) नियत  |  D) अनंत
33. अर्ध-तरंग दिष्टकारी (Half-wave rectifier) की अधिकतम दक्षता कितनी होती है?
    A) 40.6%  |  B) 81.2%  |  C) 100%  |  D) 50%
34. p-n संधि के अग्र बायस में धारा का मुख्य कारण है:
    A) अपवाह (Drift)  |  B) विसरण (Diffusion)  |  C) दोनों  |  D) कोई नहीं
35. एक सिलिकॉन डायोड 1kΩ प्रतिरोध के साथ 10V की सप्लाई (अग्र बायस) से जुड़ा है। धारा होगी? (V_barrier=0.7V)
    A) 10 mA  |  B) 9.3 mA  |  C) 0.7 mA  |  D) 1 mA
36. जेनर भंजन (Zener breakdown) घटित होता है:
    A) कम डोपिंग पर  |  B) अत्यधिक डोपिंग और पतली परत पर  |  C) अग्र बायस में  |  D) केवल उच्च ताप पर
37. n-प्रकार के अर्धचालक में minority वाहक होते हैं:
    A) इलेक्ट्रॉन  |  B) कोटर  |  C) न्यूट्रॉन  |  D) आयन
38. विद्युत चालकता (σ) का सूत्र है:
    A) e(ne µe + nh µh)  |  B) e(ne + nh)  |  C) µe/µh  |  D) ne.nh
39. सौर सेल में p-n संधि के किस भाग को बहुत पतला रखा जाता है?
    A) p-क्षेत्र  |  B) n-क्षेत्र  |  C) दोनों  |  D) कोई नहीं
40. सिलिकॉन में बोरॉन मिलाने पर कोटरों की संख्या:
    A) बढ़ती है  |  B) घटती है  |  C) शून्य होती है  |  D) स्थिर रहती है
41. किसी डायोड के लिए गतिक प्रतिरोध (Dynamic resistance) r बराबर है:
    A) ΔV / ΔI  |  B) V / I  |  C) ΔI / ΔV  |  D) V x I
42. पश्च बायस बढ़ाने पर अवक्षय परत की धारिता (Capacitance):
    A) बढ़ती है  |  B) घटती है  |  C) नियत रहती है  |  D) शून्य होती है
43. एवलांच भंजन (Avalanche breakdown) का मुख्य कारण है:
    A) उच्च क्षेत्र  |  B) टक्कर द्वारा आयनीकरण  |  C) डोपिंग  |  D) ताप
44. नैज अर्धचालक के लिए ऊर्जा अंतराल (Eg) शून्य के पास होने पर वह कैसा दिखेगा?
    A) पारदर्शी  |  B) अपारदर्शी  |  C) सफेद  |  D) रंगीन
45. दिष्टकारी के निर्गत वोल्टेज की आवृत्ति, यदि इनपुट 50Hz (पूर्ण तरंग) है:
    A) 50 Hz  |  B) 100 Hz  |  C) 25 Hz  |  D) 0 Hz